SI7489DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3000+ | 1.89 EUR |
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Technische Details SI7489DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7489DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 28 A, 0.033 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI7489DP-T1-GE3 nach Preis ab 1.87 EUR bis 4.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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SI7489DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7489DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 8681 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7489DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 80448 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7489DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V |
auf Bestellung 7963 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7489DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7489DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 28 A, 0.033 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 22844 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7489DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7489DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 28 A, 0.033 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 22844 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7489DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7489DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7489DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -28A; Idm: -40A; 53W Drain-source voltage: -100V Drain current: -28A On-state resistance: 41mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 53W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 160nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7489DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -28A; Idm: -40A; 53W Drain-source voltage: -100V Drain current: -28A On-state resistance: 41mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 53W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 160nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 |
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