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Technische Details SI7469DP-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI7469DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI7469DP-T1-E3 nach Preis ab 1.4 EUR bis 14.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SI7469DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 243000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7469DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 2043 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7469DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 2043 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7469DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 129170 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7469DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V |
auf Bestellung 2894 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7469DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7469DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 15194 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7469DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7469DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SI7469DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7469DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Транз. Пол. БМ PowerPAK® SO-8 MOSFET P-channel -80V; -28A; 29mohm@-4,5VGS Pmax=83 W |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7469DP-T1-E3 Produktcode: 184248 |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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| SI7469DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -28A; Idm: -40A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -80V Drain current: -28A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 83W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Gate charge: 160nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SI7469DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V |
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| SI7469DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -28A; Idm: -40A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -80V Drain current: -28A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 83W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Gate charge: 160nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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