auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3000+ | 1.47 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI7461DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Fuse Kits, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI7461DP-T1-GE3 nach Preis ab 1.39 EUR bis 3.78 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI7461DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
SI7461DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
SI7461DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
SI7461DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
SI7461DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
SI7461DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 2074 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
SI7461DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 2074 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
SI7461DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
SI7461DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
SI7461DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A; 1.2W Kind of package: reel; tape Drain current: -8.6A On-state resistance: 14.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.19µC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -60A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: -60V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5990 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
SI7461DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A; 1.2W Kind of package: reel; tape Drain current: -8.6A On-state resistance: 14.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.19µC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -60A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: -60V |
auf Bestellung 5990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
SI7461DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V |
auf Bestellung 37485 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
SI7461DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 12179 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
SI7461DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 28542 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||
SI7461DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 28545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||
SI7461DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||
SI7461DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
SI7461DP-T1-GE3 Produktcode: 196585 |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
Produkt ist nicht verfügbar
|