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SI7439DP-T1-E3 Vishay Siliconix
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Description: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
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Technische Details SI7439DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7439DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 0.073 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI7439DP-T1-E3 nach Preis ab 3.19 EUR bis 6.27 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI7439DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V |
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SI7439DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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SI7439DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SI7439DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7439DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -3A; Idm: -50A; 1.2W Drain-source voltage: -150V Drain current: -3A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 135nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -50A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7439DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -3A; Idm: -50A; 1.2W Drain-source voltage: -150V Drain current: -3A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 135nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -50A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 |
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