SI7434ADP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
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Technische Details SI7434ADP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 12.3A; Idm: 25A, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 54.3W, Polarisation: unipolar, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 0.17Ω, Drain current: 12.3A, Drain-source voltage: 250V, Case: PowerPAK® SO8, Gate charge: 16.5nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 25A, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI7434ADP-T1-RE3 nach Preis ab 1.67 EUR bis 3.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SI7434ADP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK |
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SI7434ADP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 3.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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| SI7434ADP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 12.3A; Idm: 25A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 54.3W Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.17Ω Drain current: 12.3A Drain-source voltage: 250V Case: PowerPAK® SO8 Gate charge: 16.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7434ADP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CHAN 250V POWERPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7434ADP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 12.3A; Idm: 25A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 54.3W Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.17Ω Drain current: 12.3A Drain-source voltage: 250V Case: PowerPAK® SO8 Gate charge: 16.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A |
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