![SI7386DP-T1-GE3 SI7386DP-T1-GE3](https://media.digikey.com/Renders/Vishay%20Siliconix%20Renders/742;5881;DP;8.jpg)
SI7386DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3000+ | 1.16 EUR |
6000+ | 1.11 EUR |
15000+ | 1.09 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI7386DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 19A, Pulsed drain current: 50A, Power dissipation: 5W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 9.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 18nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI7386DP-T1-GE3 nach Preis ab 1.25 EUR bis 2.75 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI7386DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
![]() |
auf Bestellung 13505 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
SI7386DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
SI7386DP-T1-GE3 |
![]() |
auf Bestellung 2135 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||||||||||||||
SI7386DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 19A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
SI7386DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 19A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |