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Technische Details SI7308DN-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI7308DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.046 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 19.8, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19.8, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI7308DN-T1-E3 nach Preis ab 0.53 EUR bis 1.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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SI7308DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
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SI7308DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
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SI7308DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7308DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.046 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 19.8 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 19.8 Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SI7308DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 |
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SI7308DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 |
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| SI7308DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
09+ |
auf Bestellung 478 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7308DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
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| SI7308DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 20A; 19.8W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 6A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 19.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 72mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SI7308DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 20A; 19.8W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 6A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 19.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 72mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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