SI7234DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
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Technische Details SI7234DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7234DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 60 A, 60 A, 0.0028 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0028ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0028ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SI7234DP-T1-GE3 nach Preis ab 2.41 EUR bis 4.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI7234DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 12V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8 |
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SI7234DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 46W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
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SI7234DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7234DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 60 A, 60 A, 0.0028 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0028ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0028ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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SI7234DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7234DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 60 A, 60 A, 0.0028 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0028ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0028ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 13034 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7234DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 12V; 60A; Idm: 80A Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 46W Drain-source voltage: 12V Drain current: 60A On-state resistance: 5mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Gate charge: 0.12µC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 80A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SI7234DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 12V; 60A; Idm: 80A Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 46W Drain-source voltage: 12V Drain current: 60A On-state resistance: 5mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Gate charge: 0.12µC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 80A |
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