![SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4955/742%3B5881%3BDP%3B8.jpg)
SI7149ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
![si7149adp.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3000+ | 0.54 EUR |
6000+ | 0.51 EUR |
9000+ | 0.48 EUR |
30000+ | 0.47 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI7149ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 48W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI7149ADP-T1-GE3 nach Preis ab 0.4 EUR bis 1.51 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI7149ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 6056 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SI7149ADP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 31W; PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -50A On-state resistance: 9.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 31W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 43.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3386 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SI7149ADP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 31W; PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -50A On-state resistance: 9.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 31W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 43.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V |
auf Bestellung 3386 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SI7149ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 6056 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SI7149ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
![]() |
auf Bestellung 133393 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SI7149ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V |
auf Bestellung 32428 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SI7149ADP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 31423 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
![]() |
SI7149ADP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm |
auf Bestellung 26871 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
![]() |
SI7149ADP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 48W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 87000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
![]() |
SI7149ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
SI7149ADP-T1-GE3 | Hersteller : Siliconix |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||||
SI7149ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|