SI7110DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
auf Bestellung 5576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 3.31 EUR |
| 10+ | 2.75 EUR |
| 100+ | 2.2 EUR |
| 250+ | 2.01 EUR |
| 500+ | 1.83 EUR |
| 1000+ | 1.57 EUR |
| 3000+ | 1.49 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI7110DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21.1A; Idm: 60A, Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 21.1A, On-state resistance: 7.8mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 3.8W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 21nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 60A, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI7110DN-T1-GE3 nach Preis ab 1.84 EUR bis 3.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7110DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8 |
auf Bestellung 1850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
| SI7110DN-T1-GE3 |
|
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||||||||||||||
| SI7110DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21.1A; Idm: 60A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 21.1A On-state resistance: 7.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
|
|
SI7110DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
| SI7110DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21.1A; Idm: 60A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 21.1A On-state resistance: 7.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A |
Produkt ist nicht verfügbar |