![SI7108DN-T1-E3 SI7108DN-T1-E3](https://media.digikey.com/Renders/Vishay%20Siliconix%20Renders/742;5882;DN;8.jpg)
SI7108DN-T1-E3 Vishay Siliconix
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Technische Details SI7108DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 22A; Idm: 60A; 3.8W, Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 22A, On-state resistance: 6.1mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 3.8W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 30nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±16V, Pulsed drain current: 60A, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI7108DN-T1-E3 nach Preis ab 1.7 EUR bis 3.77 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI7108DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
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SI7108DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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SI7108DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
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SI7108DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
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SI7108DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 22A; Idm: 60A; 3.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 22A On-state resistance: 6.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 60A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI7108DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 22A; Idm: 60A; 3.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 22A On-state resistance: 6.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 60A |
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