SI7106DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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Technische Details SI7106DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 19.5A; Idm: 60A, On-state resistance: 9.8mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 3.8W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 27nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 60A, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® 1212-8, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 19.5A, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI7106DN-T1-GE3 nach Preis ab 1.56 EUR bis 2.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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SI7106DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8 |
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| SI7106DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 19.5A; Idm: 60A On-state resistance: 9.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 27nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 60A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 19.5A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI7106DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8 |
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| SI7106DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 19.5A; Idm: 60A On-state resistance: 9.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 27nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 60A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 19.5A |
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