SI6968BEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
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Technische Details SI6968BEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI6968BEDQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.165 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SI6968BEDQ-T1-GE3 nach Preis ab 0.52 EUR bis 1.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SI6968BEDQ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active |
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SI6968BEDQ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds 12V Vgs TSSOP-8 |
auf Bestellung 8912 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI6968BEDQ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI6968BEDQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.165 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 6477 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI6968BEDQ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI6968BEDQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.165 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 6477 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI6968BEDQ-T1-GE3 |
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SI6968BEDQ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin TSSOP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI6968BEDQ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.5A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 1.5W Case: TSSOP8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SI6968BEDQ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.5A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 1.5W Case: TSSOP8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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