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Technische Details SI6926ADQ-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI6926ADQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.024 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 830mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 830mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SI6926ADQ-T1-GE3 nach Preis ab 0.51 EUR bis 1.53 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI6926ADQ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI6926ADQ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active |
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SI6926ADQ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI6926ADQ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI6926ADQ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 5882 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI6926ADQ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active |
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SI6926ADQ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 830mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 830mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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SI6926ADQ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI6926ADQ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI6926ADQ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 20A Case: TSSOP8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.5A On-state resistance: 43mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 20A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SI6926ADQ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 20A Case: TSSOP8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.5A On-state resistance: 43mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 20A Mounting: SMD |
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