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SI5908DC-T1-E3 Vishay Siliconix
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Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3000+ | 0.91 EUR |
6000+ | 0.86 EUR |
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Technische Details SI5908DC-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI5908DC-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.032 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: ChipFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SI5908DC-T1-E3 nach Preis ab 0.86 EUR bis 2.18 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI5908DC-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI5908DC-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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SI5908DC-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Part Status: Active |
auf Bestellung 8338 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI5908DC-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI5908DC-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
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SI5908DC-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
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SI5908DC-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
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SI5908DC-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
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SI5908DC-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5.9A; Idm: 20A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.9A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 2.1W Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI5908DC-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5.9A; Idm: 20A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.9A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 2.1W Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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