SI5476DU-T1-GE3 Vishay Siliconix
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Technische Details SI5476DU-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 25A; 31W, Power dissipation: 31W, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 12A, On-state resistance: 41mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 32nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 25A, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI5476DU-T1-GE3 nach Preis ab 0.97 EUR bis 2.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SI5476DU-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
 MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET |
auf Bestellung 5440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI5476DU-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A CHIPFET |
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| SI5476DU-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 25A; 31W Power dissipation: 31W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A On-state resistance: 41mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 32nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI5476DU-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 25A; 31W Power dissipation: 31W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A On-state resistance: 41mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 32nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A |
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