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Technische Details SI5441BDC-T1-E3 Vishay
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.1A; Idm: -20A, Mounting: SMD, On-state resistance: 80mΩ, Kind of package: reel; tape, Technology: TrenchFET®, Pulsed drain current: -20A, Power dissipation: 2.5W, Gate charge: 22nC, Polarisation: unipolar, Drain current: -6.1A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: -20V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±12V, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
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SI5441BDC-T1-E3 |
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SI5441BDC-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
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SI5441BDC-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
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SI5441BDC-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.1A; Idm: -20A Mounting: SMD On-state resistance: 80mΩ Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Gate charge: 22nC Polarisation: unipolar Drain current: -6.1A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI5441BDC-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
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SI5441BDC-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
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SI5441BDC-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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SI5441BDC-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.1A; Idm: -20A Mounting: SMD On-state resistance: 80mΩ Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Gate charge: 22nC Polarisation: unipolar Drain current: -6.1A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V |
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