SI4963DY ONSEMI
Hersteller: ONSEMIDescription: ONSEMI - SI4963DY - MISCELLANEOUS MOSFETS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Technische Details SI4963DY ONSEMI
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6.2A 8SOIC, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote SI4963DY nach Preis ab 1.12 EUR bis 1.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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| SI4963DY | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6.2A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
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| SI4963DY | Hersteller : FAIRCHILD |
09+ |
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| SI4963DY | Hersteller : SILICONIX |
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auf Bestellung 802 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4963DY | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R |
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