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Technische Details SI4936CDY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4936CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, productTraceability: No, Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote SI4936CDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.36 EUR bis 1 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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SI4936CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
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SI4936CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI4936CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.6A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SI4936CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.6A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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SI4936CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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SI4936CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 8874 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4936CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Verlustleistung, p-Kanal: -W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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SI4936CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Verlustleistung, p-Kanal: -W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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SI4936CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI4936CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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