SI4925BDY
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Technische Details SI4925BDY
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; 2W; SO8, Type of transistor: P-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -5.7A, Power dissipation: 2W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 41mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 50nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced.
Weitere Produktangebote SI4925BDY
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SI4925BDY Produktcode: 131064 |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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SI4925BDY | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N |
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SI4925BDY | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 7.1A 2W |
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SI4925BDY | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.7A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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