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Technische Details SI4850BDY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SI4850BDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.46 EUR bis 1.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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SI4850BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4850BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8 |
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SI4850BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V |
auf Bestellung 1184 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4850BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: To Be Advised |
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SI4850BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: To Be Advised |
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SI4850BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4850BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R |
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| SI4850BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 11.3A; Idm: 40A Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 17nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 4.5W On-state resistance: 25mΩ Drain current: 11.3A Drain-source voltage: 60V Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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SI4850BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V |
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| SI4850BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 11.3A; Idm: 40A Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 17nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 4.5W On-state resistance: 25mΩ Drain current: 11.3A Drain-source voltage: 60V |
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