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Technische Details SI4840BDY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4840BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.0074 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6W, Bauform - Transistor: NSOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0074ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI4840BDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.86 EUR bis 2.62 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI4840BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4840BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4840BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 10095 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4840BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V |
auf Bestellung 7205 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4840BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4840BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4840BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.0074 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: NSOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 14368 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4840BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4840BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.0074 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: NSOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 4541 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4840BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4840BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.0074 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: NSOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0074ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 4541 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4840BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4840BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 19A; Idm: 50A; 3.8W; SO8 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 50nC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W On-state resistance: 9mΩ Drain current: 19A Drain-source voltage: 40V Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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SI4840BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 19A; Idm: 50A; 3.8W; SO8 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 50nC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W On-state resistance: 9mΩ Drain current: 19A Drain-source voltage: 40V |
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