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Technische Details SI4835DDY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI4835DDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.4 EUR bis 1.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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SI4835DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4835DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V |
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SI4835DDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; Idm: -50A; 3.6W; SO8 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 65nC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -50A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.6W On-state resistance: 18mΩ Drain current: -13A Drain-source voltage: -30V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 697 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI4835DDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; Idm: -50A; 3.6W; SO8 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 65nC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -50A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.6W On-state resistance: 18mΩ Drain current: -13A Drain-source voltage: -30V |
auf Bestellung 697 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4835DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 3468 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4835DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V |
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SI4835DDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SI4835DDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SI4835DDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4835DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R |
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