![SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/3759/742~5498~DY,-EY~8.jpg)
SI4599DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
![si4599dy.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W, 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2500+ | 0.54 EUR |
5000+ | 0.51 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI4599DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4599DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.0295 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0295ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0295ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI4599DY-T1-GE3 nach Preis ab 0.49 EUR bis 1.66 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI4599DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI4599DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W, 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 5.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
auf Bestellung 7851 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI4599DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
![]() |
auf Bestellung 21221 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI4599DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI4599DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0295ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0295ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 21774 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
![]() |
SI4599DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0295ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0295ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 21774 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
![]() |
SI4599DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
![]() |
SI4599DY-T1-GE3 Produktcode: 85373 |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
|
||||||||||||||||
![]() |
SI4599DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
SI4599DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 6.8/-5.8A On-state resistance: 62/42.5mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 3.1/3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 38/20nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
SI4599DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 6.8/-5.8A On-state resistance: 62/42.5mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 3.1/3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 38/20nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 |
Produkt ist nicht verfügbar |