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Technische Details SI4490DY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V.
Weitere Produktangebote SI4490DY-T1-E3 nach Preis ab 1.4 EUR bis 3.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI4490DY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4490DY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V |
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SI4490DY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4490DY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V |
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SI4490DY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET RECOMMENDED ALT SI4490DY-TR |
auf Bestellung 11205 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4490DY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4490DYT1E3 | Hersteller : VISHAY |
auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI4490DY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
06+ ZIP |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI4490DY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
07+ SO-8 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI4490DY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
1018+ SOP8 |
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| SI4490DY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
SO-8 |
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SI4490DY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R |
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| SI4490DY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 4A; Idm: 40A; 3.1W Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 200V Drain current: 4A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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| SI4490DY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 4A; Idm: 40A; 3.1W Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 200V Drain current: 4A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A |
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