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Technische Details SI4463CDY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4463CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18.6 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI4463CDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.56 EUR bis 2.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SI4463CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 18.6A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4463CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 15 V |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4463CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 138013 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4463CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 15 V |
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SI4463CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4463CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18.6 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SI4463CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4463CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18.6 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 31046 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4463CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 18.6A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4463CDY-T1-GE3 | Hersteller : Siliconix |
P-MOSFET 2.5V SI4463CDY-T1-GE3 TSI4463cdy Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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SI4463CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 18.6A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4463CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 18.6A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI4463CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -18.6A Pulsed drain current: -60A Power dissipation: 5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 162nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| SI4463CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -18.6A Pulsed drain current: -60A Power dissipation: 5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 162nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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