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Technische Details SI4435DDY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm, SVHC: No SVHC (15-Jun-2015).
Weitere Produktangebote SI4435DDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI4435DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 435000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4435DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4435DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V |
auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4435DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 72500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4435DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 446 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4435DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4435DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 26576 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4435DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V |
auf Bestellung 23645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4435DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 446 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4435DDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.1 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 5076 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4435DDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.1 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 5076 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4435DDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4435DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4435DDY-T1-GE3 | Hersteller : Siliconix |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4435DDY TSI4435ddy Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI4435DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductor |
P-канальний ПТ; Id = 11,4 A; Ptot, Вт = 5; Udss, В = 30; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1350 @ 15; Qg, нКл = 50 @ 10 В; Rds = 24 мОм @ 9,1 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; SOICN-8 |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4435DDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.1A; Idm: -50A; 3.2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -9.1A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 3.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4435DDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.1A; Idm: -50A; 3.2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -9.1A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 3.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |