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Technische Details SI4431CDY-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V.
Weitere Produktangebote SI4431CDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.38 EUR bis 1.16 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SI4431CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4431CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V |
auf Bestellung 32500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4431CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A; 2.7W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 38nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A Drain-source voltage: -30V Drain current: -7.2A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3271 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI4431CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A; 2.7W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 38nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A Drain-source voltage: -30V Drain current: -7.2A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
auf Bestellung 3271 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4431CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 22120 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4431CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V |
auf Bestellung 37349 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4431CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4431CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm |
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SI4431CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm |
auf Bestellung 8704 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4431CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4431CDY-T1-GE3 | Hersteller : Siliconix |
P-MOSFET 30V 9A 2.5W 32mΩ SI4431CDY-T1-GE3 Vishay TSI4431cdy Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI4431CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R |
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