SI4403CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2500+ | 0.47 EUR |
| 5000+ | 0.45 EUR |
| 12500+ | 0.41 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI4403CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4403CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.4 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI4403CDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.49 EUR bis 1.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4403CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 13.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4403CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 13.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4403CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -13.4A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2395 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4403CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -13.4A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 2395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4403CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 1.8V P-Channel |
auf Bestellung 58169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4403CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V |
auf Bestellung 15093 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4403CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4403CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.4 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 29645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
SI4403CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4403CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.4 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 29645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
SI4403CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 13.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
SI4403CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 13.4A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |