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SI4401DDY-T1-GE3 Vishay

Name: SI4401DDY-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 5715467-5
Price: 0.37 EUR
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

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Technische Details SI4401DDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4401DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16.1 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.3W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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SI4401DDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4401DDY-T1-GE3

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SI4401DDY-T1-GE3

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SI4401DDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V

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SI4401DDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4401DDY-T1-GE3

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Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4401DDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

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SI4401DDY-T1-GE3

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Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4401DDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

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55000+	0.65 EUR
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165000+	0.53 EUR

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SI4401DDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4401DDY-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A; 4W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD

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73+	0.99 EUR
88+	0.82 EUR
182+	0.39 EUR
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SI4401DDY-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

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88+	0.82 EUR
182+	0.39 EUR
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SI4401DDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay Semiconductors

MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8

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SI4401DDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V

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SI4401DDY-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

Description: VISHAY - SI4401DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16.1 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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SI4401DDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4401DDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4401DDY-T1-GE3

Hersteller : Siliconix

P-MOSFET 40V 16.1A 15mΩ 6.3W SI4401DDY-T1-GE3 Vishay TSI4401ddy
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SI4401DDY-T1-GE3

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SI4401DDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

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