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Technische Details SI4153DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SI4153DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0072 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
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SI4153DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4153DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0072 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SI4153DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI4153DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI4153DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -19.3A; 5.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -19.3A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 5.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 93nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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SI4153DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 |
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SI4153DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 |
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SI4153DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -19.3A; 5.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -19.3A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 5.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 93nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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