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Technische Details SI3483CDV-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI3483CDV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.027 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SI3483CDV-T1-E3 nach Preis ab 0.48 EUR bis 1.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI3483CDV-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R |
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SI3483CDV-T1-E3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
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SI3483CDV-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3483CDV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.027 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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SI3483CDV-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3483CDV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.027 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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SI3483CDV-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3483CDV-T1-E3 |
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SI3483CDV-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R |
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SI3483CDV-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R |
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| SI3483CDV-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -25A Drain-source voltage: -30V Drain current: -8A On-state resistance: 53mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 4.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 33nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -25A Mounting: SMD Case: TSOP6 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI3483CDV-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP |
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SI3483CDV-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP |
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| SI3483CDV-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -25A Drain-source voltage: -30V Drain current: -8A On-state resistance: 53mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 4.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 33nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -25A Mounting: SMD Case: TSOP6 |
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