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Technische Details SI3473DDV-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI3473DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0145 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SI3473DDV-T1-GE3 nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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SI3473DDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
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SI3473DDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET -12V Vds 8V Vgs TSOP-6 |
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SI3473DDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP |
auf Bestellung 2258 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3473DDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3473DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0145 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm SVHC: To Be Advised |
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SI3473DDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3473DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0145 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm |
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SI3473DDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI3473DDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI3473DDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -30A Mounting: SMD Case: TSOP6 Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Kind of package: reel; tape On-state resistance: 38.8mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 57nC Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -30A Drain-source voltage: -12V Drain current: -8A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI3473DDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP |
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| SI3473DDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -30A Mounting: SMD Case: TSOP6 Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Kind of package: reel; tape On-state resistance: 38.8mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 57nC Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -30A Drain-source voltage: -12V Drain current: -8A |
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