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Technische Details SI3473CDV-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SI3473CDV-T1-GE3 nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI3473CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
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SI3473CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
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SI3473CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
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SI3473CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3473CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 11895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3473CDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A Power dissipation: 4.2W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: TSOP6 Drain-source voltage: -12V Drain current: -8A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 65nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -20A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SI3473CDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A Power dissipation: 4.2W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: TSOP6 Drain-source voltage: -12V Drain current: -8A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 65nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -20A |
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SI3473CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -12V Vds 8V Vgs TSOP-6 |
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SI3473CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V |
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SI3473CDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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SI3473CDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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SI3473CDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3473CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3473CDV-T1-GE3 |
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auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI3473CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
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