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SI3443CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix
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Description: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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9000+ | 0.25 EUR |
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Technische Details SI3443CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI3443CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.97 A, 0.05 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.97A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SI3443CDV-T1-GE3 nach Preis ab 0.29 EUR bis 0.84 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SI3443CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI3443CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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SI3443CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V |
auf Bestellung 24513 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3443CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI3443CDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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SI3443CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI3443CDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 15405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3443CDV-T1-GE3 Produktcode: 160116 |
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SI3443CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI3443CDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 2.05W; TSOP6 Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.6A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.05W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 7.53nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Case: TSOP6 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SI3443CDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 2.05W; TSOP6 Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.6A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.05W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 7.53nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Case: TSOP6 |
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