SI3429EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
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Technische Details SI3429EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SI3429EDV-T1-GE3 nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI3429EDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3429EDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3429EDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3429EDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3429EDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 8V Vgs TSOP-6 |
auf Bestellung 4863 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3429EDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V |
auf Bestellung 5890 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3429EDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 5800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3429EDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 5800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3429EDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI3429EDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI3429EDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -40A; 2.7W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -8A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 2.7W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SI3429EDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -40A; 2.7W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -8A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 2.7W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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