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Technische Details SI2338DS-T1-GE3 Vishay
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 25A; 1.6W; SOT23, Mounting: SMD, Case: SOT23, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 1.6W, On-state resistance: 28mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 13nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 25A, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 6A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SI2338DS-T1-GE3 nach Preis ab 0.23 EUR bis 0.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI2338DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2338DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2338DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SOT-23 |
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SI2338DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2338DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2338DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2338DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 25A; 1.6W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.6W On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SI2338DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23 |
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SI2338DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23 |
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SI2338DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 25A; 1.6W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.6W On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A |
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