![SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/9dc044819f767a478a8d27563e7956a00a8d6564/sq2318aes-t1-ge3.jpg)
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3000+ | 0.27 EUR |
9000+ | 0.24 EUR |
24000+ | 0.23 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI2323DDS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2323DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SI2323DDS-T1-GE3 nach Preis ab 0.23 EUR bis 0.92 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI2323DDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2323DDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2323DDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 68mΩ Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET Gate charge: 13.6nC Drain current: -3.8A Drain-source voltage: -20V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.1W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2986 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2323DDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 68mΩ Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET Gate charge: 13.6nC Drain current: -3.8A Drain-source voltage: -20V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.1W |
auf Bestellung 2986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2323DDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
![]() |
auf Bestellung 304394 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2323DDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V |
auf Bestellung 13170 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2323DDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 8684 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
SI2323DDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 8949 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
SI2323DDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
SI2323DDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
SI2323DDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
SI2323DDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |