![SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/aac3ab0344644e1d07266b67110632a30ccea515/si2319dds-t1-ge3.jpg)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
6000+ | 0.25 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI2319DDS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2319DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SI2319DDS-T1-GE3 nach Preis ab 0.23 EUR bis 0.78 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI2319DDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2319DDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2319DDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3.6A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.7W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1326 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2319DDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3.6A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.7W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 1326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2319DDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V |
auf Bestellung 26729 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2319DDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
![]() |
auf Bestellung 150392 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2319DDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
SI2319DDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 42810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
SI2319DDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
SI2319DDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
SI2319DDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |