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Technische Details SI2318DS-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V.
Weitere Produktangebote SI2318DS-T1-E3 nach Preis ab 0.19 EUR bis 0.84 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI2318DS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
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SI2318DS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
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SI2318DS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
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SI2318DS-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2318DS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
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SI2318DS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
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SI2318DS-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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SI2318DS-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V |
auf Bestellung 50564 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2318DS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2318DS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
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SI2318DS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
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SI2318DS-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 3A; Idm: 16A; 750mW Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.75W Polarisation: unipolar Gate charge: 10nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 16A Drain-source voltage: 40V Drain current: 3A On-state resistance: 58mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SI2318DS-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 3A; Idm: 16A; 750mW Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.75W Polarisation: unipolar Gate charge: 10nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 16A Drain-source voltage: 40V Drain current: 3A On-state resistance: 58mΩ |
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