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Technische Details SI2316DS-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V.
Weitere Produktangebote SI2316DS-T1-GE3 nach Preis ab 0.37 EUR bis 0.4 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI2316DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2316DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2316DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY | SI2316DS-T1-GE3 SMD N channel transistors |
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SI2316DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V |
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SI2316DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V |
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