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SI2309CDS-T1-GE3 Vishay

Name: SI2309CDS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 11065804-5
Price: 0.18 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

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Technische Details SI2309CDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.285 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V

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SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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155+	0.46 EUR
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296+	0.24 EUR
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SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

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SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V

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SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay Semiconductors

MOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-23

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SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.285 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.285 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

VISH-S-A0010613156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.36 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

P-Channel 60 V 1.6A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

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SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2309CDS-T1-GE3
Produktcode: 173271

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