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Technische Details SI2308BDS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.09W, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SI2308BDS-T1-GE3 nach Preis ab 0.19 EUR bis 0.87 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.06W; SOT23 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.8A On-state resistance: 192mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.06W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 12102 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.06W; SOT23 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.8A On-state resistance: 192mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.06W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23 |
auf Bestellung 12102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V |
auf Bestellung 39993 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 301526 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.09W Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 57366 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.09W Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI2308BDS-T1-GE3 Produktcode: 172429 |
Hersteller : VISHAY |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 2.3 A Rds(on), Ohm: 0.156 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 190/4,5 |
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