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Technische Details SI2307BDS-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SI2307BDS-T1-E3 nach Preis ab 0.28 EUR bis 1.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI2307BDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2307BDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V |
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SI2307BDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2307BDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2307BDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 5345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2307BDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2307BDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 3.2A 1.25W |
auf Bestellung 92354 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2307BDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V |
auf Bestellung 26632 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2307BDS-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4824 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2307BDS-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4824 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2307BDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI2307BDST1E3 | Hersteller : VISHAY |
auf Bestellung 2918 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI2307BDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI2307BDS-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.5A On-state resistance: 78mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.48W Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -12A Mounting: SMD Case: SOT23 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI2307BDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI2307BDS-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.5A On-state resistance: 78mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.48W Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -12A Mounting: SMD Case: SOT23 |
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