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SI2306BDS-T1-GE3

SI2306BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix


si2306bd.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V
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Technische Details SI2306BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V.

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SI2306BDS-T1-GE3 SI2306BDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2306bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2306BDS-T1-GE3 SI2306BDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2306bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2306BDS-T1-GE3 SI2306BDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix si2306bd.pdf MOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V
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SI2306BDS-T1-GE3 SI2306BDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2306bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
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Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V
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SI2306BDS-T1-GE3 SI2306BDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay 73234.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2306BDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si2306bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4A; Idm: 20A; 1.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4500000000nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI2306BDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si2306bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4A; Idm: 20A; 1.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4500000000nC
Kind of package: reel; tape
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