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SI2302CDS-T1-GE3 Vishay

Name: SI2302CDS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 10751109-5
Price: 0.15 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

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Technische Details SI2302CDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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SI2302CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2302CDS-T1-GE3

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SI2302CDS-T1-GE3

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Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2302CDS-T1-GE3

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Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2302CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V

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SI2302CDS-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.5nC
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.46W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 57mΩ
Drain current: 2.1A
Drain-source voltage: 20V

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120+	0.6 EUR
169+	0.42 EUR
365+	0.2 EUR
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SI2302CDS-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

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SI2302CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2302CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay Semiconductors

MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23

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SI2302CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V

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SI2302CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

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SI2302CDS-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.045 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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SI2302CDS-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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SI2302CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2302CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY TSI2302cds
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