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Technische Details SI2300DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2300DS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 3.6A, SOT-23-3, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Raspberry Pi-4 PSU, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SI2300DS-T1-GE3 nach Preis ab 0.17 EUR bis 0.77 EUR
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SI2300DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2300DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2300DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
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Si2300DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V |
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Si2300DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Si2300DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V |
auf Bestellung 1360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Si2300DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 105898 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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Si2300DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V |
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SI2300DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2300DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2300DS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 3.6A, SOT-23-3 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Raspberry Pi-4 PSU productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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SI2300DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2300DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2327 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2300DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2300DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2300DS-T1-GE3 Produktcode: 72682
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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