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Technische Details SI1967DH-T1-E3 Vishay / Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.3A; 1.25W, Type of transistor: P-MOSFET x2, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -1.3A, Pulsed drain current: -3A, Power dissipation: 1.25W, Case: SC70-6; SOT363, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 0.79Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 4nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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SI1967DH-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
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SI1967DH-T1-E3 |
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auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI1967DH-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.3A; 1.25W Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.3A Pulsed drain current: -3A Power dissipation: 1.25W Case: SC70-6; SOT363 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.79Ω Mounting: SMD Gate charge: 4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI1967DH-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
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SI1967DH-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.3A; 1.25W Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.3A Pulsed drain current: -3A Power dissipation: 1.25W Case: SC70-6; SOT363 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.79Ω Mounting: SMD Gate charge: 4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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