SI1902CDL-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 139+ | 0.51 EUR |
| 179+ | 0.4 EUR |
| 298+ | 0.24 EUR |
| 430+ | 0.17 EUR |
| 455+ | 0.16 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI1902CDL-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI1902CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.195 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.195ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 420mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 420mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SI1902CDL-T1-GE3 nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI1902CDL-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.9A Power dissipation: 0.27W Case: SC70 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.235Ω Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1902CDL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds 12V Vgs SC70-6 |
auf Bestellung 101273 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1902CDL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6 |
auf Bestellung 9513 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
SI1902CDL-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1902CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.195 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.195ohm Verlustleistung, p-Kanal: 420mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 420mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
SI1902CDL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.1A 6-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
SI1902CDL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6 |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |