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Technische Details SI1553CDL-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 340mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 340mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SI1553CDL-T1-GE3 nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.78 EUR
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SI1553CDL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI1553CDL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI1553CDL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI1553CDL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI1553CDL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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SI1553CDL-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm Verlustleistung, p-Kanal: 340mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 340mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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SI1553CDL-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm Verlustleistung, p-Kanal: 340mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 340mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1553CDL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI1553CDL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI1553CDL-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 700/-500mA Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 700/-500mA Power dissipation: 0.34W Case: SC70; SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1.35/1.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 3/1.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SI1553CDL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 340mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active |
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SI1553CDL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 340mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active |
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SI1553CDL-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 700/-500mA Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 700/-500mA Power dissipation: 0.34W Case: SC70; SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1.35/1.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 3/1.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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